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关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()A．突触前轴突末梢超极化B．突触后膜对Ca、K的通透性增大C．突触后膜去极化D．突触后膜电位负值增...

作者: rantiku 人气: - 评论: 0

问题关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

选项 A．突触前轴突末梢超极化 B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C．突触后膜去极化 D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

答案 D

解析

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错误啦！

消息: [程序异常] : MISCONF Redis is configured to save RDB snapshots, but it's currently unable to persist to disk. Commands that may modify the data set are disabled, because this instance is configured to report errors during writes if RDB snapshotting fails (stop-writes-on-bgsave-error option). Please check the Redis logs for details about the RDB error.
文件: /twcms/kongphp/cache/cache_redis.class.php
位置: 第 85 行

<?php echo 'KongPHP, Road to Jane.'; ?>