抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A:Na+,K+，尤其是K+ B:Ca2+,Cl-，尤其是Ca2+ C:Na+,Cl-，尤其是...

作者: tihaiku 人气: - 评论: 0

问题抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括

选项 A:Na⁺,K⁺，尤其是K⁺ B:Ca²⁺,Cl^-，尤其是Ca²⁺ C:Na⁺,Cl^-，尤其是Na⁺ D:K⁺,Cl^-，尤其是Cl^- E:K⁺,Ca²⁺,Na⁺，尤其是Ca²⁺

答案 D

解析抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl^-（为主）和K⁺的通透性升高，引起Cl^-的内流和K⁺的外流，使膜内负电位更负，引进突触后神经元产生抑制。

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消息: [程序异常] : MISCONF Redis is configured to save RDB snapshots, but it's currently unable to persist to disk. Commands that may modify the data set are disabled, because this instance is configured to report errors during writes if RDB snapshotting fails (stop-writes-on-bgsave-error option). Please check the Redis logs for details about the RDB error.

文件: /twcms/kongphp/cache/cache_redis.class.php

位置: 第 85 行

<?php echo 'KongPHP, Road to Jane.'; ?>

抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A:Na+,K+，尤其是K+ B:Ca2+,Cl-，尤其是Ca2+ C:Na+,Cl-，尤其是...

相关内容：突触,电位,离子

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